比亞迪 IGBT 在國(guó)際上處于先進(jìn)水平。從 2004 年進(jìn)軍半導(dǎo)體領(lǐng)域研發(fā) IGBT 芯片，到 2021 年 IGBT6.0 問(wèn)世，這期間比亞迪持續(xù)投入研發(fā)，實(shí)現(xiàn)了集芯片設(shè)計(jì)等在內(nèi)的垂直運(yùn)作 IDM 模式。IGBT4.0 達(dá)到國(guó)外同一階段主流性能水平且部分指標(biāo)反超，IGBT6.0 在可靠性及性能上有重大突破。多年深耕讓比亞迪在國(guó)際 IGBT 市場(chǎng)贏得認(rèn)可，競(jìng)爭(zhēng)地位穩(wěn)固 。

比亞迪在IGBT領(lǐng)域的發(fā)展歷程堪稱一部奮斗與創(chuàng)新的史詩(shī)。2004年，當(dāng)它毅然踏入半導(dǎo)體領(lǐng)域研發(fā)IGBT芯片時(shí)，便開(kāi)啟了一段不平凡的征程。2009年，比亞迪推出IGBT1.0，盡管當(dāng)時(shí)僅相當(dāng)于國(guó)外1995年左右的技術(shù)水平，但這是其邁出的重要一步，此后的IGBT2.5也逐步追趕，達(dá)到國(guó)外2000年左右技術(shù)水平。

到了2017年，IGBT4.0芯片成功研發(fā)，這一成果意義非凡。它達(dá)到了國(guó)外同一階段IGBT主流性能水平，在不少關(guān)鍵指標(biāo)上甚至實(shí)現(xiàn)了反超。綜合損耗較當(dāng)前市場(chǎng)主流IGBT降低約20%，這意味著在能源利用效率上有了顯著提升；電流輸出能力比主流IGBT高15%，直接支持了整車更強(qiáng)的加速和功率輸出能力；而溫度循環(huán)壽命是其他主流IGBT的10倍以上，極大地提高了產(chǎn)品的穩(wěn)定性和耐用性。

2021年，IGBT6.0高端芯片閃亮登場(chǎng)。這款采用90納米工藝制程，運(yùn)用新一代自主研發(fā)的高密度溝槽柵技術(shù)的芯片，在可靠性及性能上實(shí)現(xiàn)了重大突破，成功躋身國(guó)際領(lǐng)先行列。比亞迪高端IGBT汽車芯片的90納米工藝技術(shù)全球領(lǐng)先，相比同類產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)明顯。

值得一提的是，比亞迪憑借自身多年的努力，實(shí)現(xiàn)了集芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試、生產(chǎn)在內(nèi)的垂直運(yùn)作IDM模式。這種模式結(jié)合了自身上下游的優(yōu)勢(shì)，深度發(fā)掘開(kāi)發(fā)了在汽車半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上的技術(shù)潛力。而且，比亞迪還在全國(guó)擁有五大研發(fā)及生產(chǎn)制造基地，在長(zhǎng)沙設(shè)有晶圓生產(chǎn)線，為其技術(shù)的不斷升級(jí)和產(chǎn)品的穩(wěn)定供應(yīng)提供了堅(jiān)實(shí)保障。

多年來(lái)，比亞迪IGBT已經(jīng)連續(xù)多年拿下車規(guī)級(jí)IGBT模塊全球第二、國(guó)內(nèi)廠商第一的佳績(jī)。其還曾5年打破外企壟斷、13年追平國(guó)際一流。這些成績(jī)的取得，無(wú)疑是其技術(shù)實(shí)力在國(guó)際上得到認(rèn)可的有力證明。比亞迪的IGBT技術(shù)，憑借持續(xù)不斷的創(chuàng)新、深厚的技術(shù)積累以及完善的產(chǎn)業(yè)模式，在國(guó)際舞臺(tái)上占據(jù)了重要的一席之地，成為了中國(guó)汽車半導(dǎo)體領(lǐng)域的驕傲 。

（圖/文/攝：太平洋汽車 整理于互聯(lián)網(wǎng)）